外腔半导体激光器的两种窄谱机制

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外腔半导体激光器的两种窄谱机制

更新时间：2024-10-14

- 外腔半导体激光器的两种窄谱机制
- Issue 1, Pages: 8-14(1989)
- 作者机构：
  
  1.   北京邮电学院
  2.   北京邮电学院博士研究生
  3.   院学术委员会委员
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：1989
- 稿件说明：
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[1]任晓敏,叶培大.外腔半导体激光器的两种窄谱机制[J].通信学报,1989(01):8-14.

[J]. 1989, (1): 8-14.
[1]任晓敏,叶培大.外腔半导体激光器的两种窄谱机制[J].通信学报,1989(01):8-14. DOI：

[J]. 1989, (1): 8-14. DOI：

摘要

本文区分和研究外腔半导体激光器的两种窄谱机制

从而简捷地得出了其线宽公式。本文的基本思想对于优化外腔半导体激光器的设计和探索新的外腔结构具有指导意义。

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