高可靠大功率1．3μm发光二极管

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高可靠大功率1．3μm发光二极管

更新时间：2024-10-14

- 高可靠大功率1．3μm发光二极管
- Issue 2, (1996)
- 作者机构：
  
  武汉电信器件公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN383
- Published：1996
- 稿件说明：
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[1]吴振英,胡常炎,刘自力,李蓉萍,吴桐.高可靠大功率1．3μm发光二极管[J].通信学报,1996(02):121-125.

[J]. 1996, (2).
[1]吴振英,胡常炎,刘自力,李蓉萍,吴桐.高可靠大功率1．3μm发光二极管[J].通信学报,1996(02):121-125. DOI：

[J]. 1996, (2). DOI：

摘要

把１．３μｍ波长分段吸收式脊形波导结构发光二极管进行不同温度的加速老化寿命试验，共测试２４８５００器件小时。该器件在２５℃、１５０ｍＡＣＷ的平均寿命为１．２×１０６ｈ，其退化激活能Ｅａ＝０．４８ｅＶ；与标准单模光纤耦合后，在２５℃、１００ｍＡ下的光功率大于３０μＷ，最大可大于５０μＷ。

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