一种全CMOS工艺吉比特以太网串并-并串转换电路

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

一种全CMOS工艺吉比特以太网串并-并串转换电路

更新时间：2024-10-14

- 一种全CMOS工艺吉比特以太网串并-并串转换电路
- Issue 1, Pages: 70-76(2002)
- 作者机构：
  
  1. 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室
  2. 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN492
- Published：2002
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]朱正,邱祖江,任俊彦,杨莲兴.一种全CMOS工艺吉比特以太网串并-并串转换电路[J].通信学报,2002(01):70-76.

[J]. 2002, (1): 70-76.
[1]朱正,邱祖江,任俊彦,杨莲兴.一种全CMOS工艺吉比特以太网串并-并串转换电路[J].通信学报,2002(01):70-76. DOI：

[J]. 2002, (1): 70-76. DOI：

摘要

本文介绍了一种单片集成的吉比特以太网串并-并串转换电路。在芯片中

模拟锁相环产生1.25GHz高速时钟（当芯片用于光纤网络

时钟速率就为1.06GHz）

同时一个10到1多路选择器完成并行数据到串行的转换。在接收端

差分输入信号依次经过均衡电路、双端-单端转换电路转换成数字信号。同时

数据和时钟提取电路提取出时钟

并将数据重新同步。最后

串并转换电路完成串行-并行转换和字节同步。实验芯片采用0.35mm SPTM CMOS工艺

芯片面积为1.92㎜2

在最高输入输出数据波特率条件下的功耗为900mW。

Abstract

关键词

Keywords

references

Views

800

下载量

CSCD

Alert me when the article has been cited

提交

Tools

Publicity Resources

1551nm光纤型光频锁相环及零差锁相接收系统的实验研究

一种用于SDH 2Mbit/s支路输出口的全数字锁相环

Photoluminescence Properties of Si-based CeO₂ Films

The Effect of Etching Time on the Quality of GaN Grown on Sapphire Substrate

The Effects of Sulfuric Ions on Photoluminescence of Porous Anodic Aluminum Oxide Membranes Prepared in Solution of Sulfuric and Oxalic Acid

Related Author

李青

张小频

叶培大

杨赞

葛宁

史富强

冯重熙

Related Institution

北京邮电大学

清华大学电子工程系

AI问答

⁰