GaAlAs/GaAs DH 激光器的L-I特性

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

GaAlAs/GaAs DH 激光器的L-I特性

更新时间：2024-10-14

|

- GaAlAs/GaAs DH 激光器的L-I特性
- 暂无标题
- 通信学报 1981年第2期页码：45-49
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1981
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]王启明,,,,,,,,,庄婉如,,,,,,,,,杨培生.GaAlAs/GaAs DH 激光器的L-I特性[J].通信学报,1981(02):45-49.
[1]王启明,,,,,,,,,庄婉如,,,,,,,,,杨培生.GaAlAs/GaAs DH 激光器的L-I特性[J].通信学报,1981(02):45-49. DOI：

DOI：

摘要

对所研制的质子轰击条形GaAlAs/GaAs DH激光器的L-Ⅰ特性及其随温度的变化进行了测量。研究了L-Ⅰ特性随考验时间的变化。个别激光器考验已超过10

4

小时

仍可保持正常激射。部分激光器的L-Ⅰ特性出现了扭折

研究了这种扭折附近的近场光强分布及发射光谱。基于实事实

提出了一种有源区Al含量横向不均匀分布的物理模型

可定性地解释扭折的产生。

Abstract

关键词

Keywords

references

0

浏览量

180

下载量

2

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

相关文章

暂无数据

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据

⁰