光通信用快速高辐射度发光二极管

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光通信用快速高辐射度发光二极管

更新时间：2024-10-14

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- 光通信用快速高辐射度发光二极管
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- 通信学报 1982年第2期页码：86-91
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院
  2. 上海冶金研究所
  3. 中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1982
- 稿件说明：
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[1]逄永秀,,,,,,,,,程宗权,,,,,,,,,富小妹,,,,,,,,,朱黎明,,,,,,,,,王惠民,,,,,,,,,潘慧珍.光通信用快速高辐射度发光二极管[J].通信学报,1982(02):86-91.
[1]逄永秀,,,,,,,,,程宗权,,,,,,,,,富小妹,,,,,,,,,朱黎明,,,,,,,,,王惠民,,,,,,,,,潘慧珍.光通信用快速高辐射度发光二极管[J].通信学报,1982(02):86-91. DOI：

DOI：

摘要

制成了用于光通信的快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光二极管（DHLED）。该器件带有光波导结构并具有适当掺杂和有源层厚度。其频响大于60MHz。最高辐射度为1017W/sr·cm

2

。在150mA下尾纤输出功率达118μW

与光纤的耦合效率为11％（纤维芯径为φ=60μm

数值孔径为NA=0.17）。

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