在PCVD工艺中氟对光纤损耗的影响

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在PCVD工艺中氟对光纤损耗的影响

更新时间：2024-10-14

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- 在PCVD工艺中氟对光纤损耗的影响
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- 通信学报 1986年第3期页码：92-94
- 作者机构：
  
  武汉邮电科学研究院
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- 基金信息：
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  中图分类号：
- 纸质出版日期：1986
- 稿件说明：
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[1]邓都才,王艳芳,熊建纯,张穆,罗慧英,谢培英.在PCVD工艺中氟对光纤损耗的影响[J].通信学报,1986(03):92-94+75.
[1]邓都才,王艳芳,熊建纯,张穆,罗慧英,谢培英.在PCVD工艺中氟对光纤损耗的影响[J].通信学报,1986(03):92-94+75. DOI：

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摘要

本文叙述在PCVD法中应用CCl

2

F

2

作氟源

在制备低OHˉ、低损耗长波长多模梯度光纤的研究结果。 CCl

2

F

2

容易获得

价格便宜

效果优异

掺F多模梯度光纤在1.39μm的OHˉ附加衰耗已接近1dB/km。并获得了在1.30μm和1.55μm衰耗分别为0.41dB/km和0.21dB/km的超低损耗多模涕度光纤。掺氟单模光纤在1.3μm的衰耗已达0.9dB/km。

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