1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH激光器的寿命研究

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1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH激光器的寿命研究

更新时间：2024-10-14

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- 1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH激光器的寿命研究
- 暂无标题
- 通信学报 1987年第4期页码：35-39
- 作者机构：
  
  1. 武汉邮电科学研究院
  2. 北方交通大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1987
- 稿件说明：
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[1]赵嵩山,李洵,许桂珍.1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH激光器的寿命研究[J].通信学报,1987(04):35-39.
[1]赵嵩山,李洵,许桂珍.1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH激光器的寿命研究[J].通信学报,1987(04):35-39. DOI：

DOI：

摘要

从一批老化筛选后

70°—106℃连续工作的1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH激光器中

抽样七只。在环境温度为50℃

输出功率保持3—2mW

充氮烘箱中加速老化2616小时

七只激光器相继失效（在该温度下输出功率不能达到2mW）。根据Arrhenius关系式

激光器的外推室温寿命超过1×10

5

小时。

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