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武汉电信器件公司
纸质出版日期:1996
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[1]吴振英,胡常炎,刘自力,李蓉萍,吴桐.高可靠大功率1.3μm发光二极管[J].通信学报,1996(02):121-125.
[1]吴振英,胡常炎,刘自力,李蓉萍,吴桐.高可靠大功率1.3μm发光二极管[J].通信学报,1996(02):121-125. DOI:
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把1.3μm波长分段吸收式脊形波导结构发光二极管进行不同温度的加速老化寿命试验,共测试248500器件小时。该器件在25℃、150mACW的平均寿命为1.2×106h,其退化激活能Ea=0.48eV;与标准单模光纤耦合后,在25℃、100mA下的光功率大于30μW,最大可大于50μW。
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