基于晶体管非理想特性的对数域积分器分析与改进

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基于晶体管非理想特性的对数域积分器分析与改进

更新时间：2024-10-14

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- 基于晶体管非理想特性的对数域积分器分析与改进
- 暂无标题
- 通信学报 2003年第5期页码：105-113
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学电气工程学院,西安交通大学电气工程学院,陕西,西安,710049
  2. 空军工程大学工程学院,陕西西安710038,陕西,西安,710049
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN32
- 纸质出版日期：2003
- 稿件说明：
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[1]蔡理,马西奎.基于晶体管非理想特性的对数域积分器分析与改进[J].通信学报,2003(05):105-113.
[1]蔡理,马西奎.基于晶体管非理想特性的对数域积分器分析与改进[J].通信学报,2003(05):105-113. DOI：

DOI：

摘要

研究了由于双极型晶体管的非理想特性（如寄生发射极电阻RE和基极电阻RB、有限b值及Early效应（VA）等）使得跨导线性积分器特性发生偏移的机理。应用积分器误差函数导出了该积分器非理想特性方程

定量分析出晶体管非理想参数对积分器幅值和相位特性影响

给出了电子补偿的方法

并用PSpice进行了仿真

验证了理论分析结果。1

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