DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制

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DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制

更新时间：2024-10-14

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- DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制
- 暂无标题
- 通信学报 2004年第9期页码：169-174
- 作者机构：
  
  1.   西南交通大学计算机与通信工程学院
  2.   电子科技大学宽带光纤传输与通信系统技术重点实验室
  3.   西南交通大学计算机与通信工程学院四川成都 610031 电子科技大学宽带光纤传输与通信系统技术重点实验室四川成都 610054
  4.   四川成都 610031
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金（10174057;90201011）;四川省应用基础科学研究基金（03JY029048-1）;高等学校博士点科研基金（20030613007）;国家重点实验室开放课题基金（2002KF）
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 纸质出版日期：2004
- 稿件说明：
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[1]潘炜,张晓霞,罗斌,邓果,李孝峰.DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制[J].通信学报,2004(09):169-174.
[1]潘炜,张晓霞,罗斌,邓果,李孝峰.DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制[J].通信学报,2004(09):169-174. DOI：

DOI：

摘要

以微腔激光器的典型代表垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）为例

选择自发辐射因子为控制参数

数值模拟了大信号深度调制情形下VCSEL的非线性动力学特性

实现了类似于边缘发射激光器的分岔

周期加倍分岔

多稳和混沌状态的稳定控制

得到分岔点位置和周期轨道与控制参数的变化关系

以及相应地调制参量和自发辐射因子的取值范围

计算结果较好地拟合了文献实验结果。

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